グリーン・エレクトロニクス No.9 2012年 08月号 [雑誌] pdf無料ダウンロード - によるグリーン・エレクトロニクス No.9 2012年 08月号 [雑誌]はCQ出版; 不定版 (2012/7/28)によって公開されました。 これには198ページが含まれており、本というジャンルに分類されています。 この本は読者からの反応が良く、1人の読者から4.2の評価を受けています。 今すぐ登録して、無料でダウンロードできる何千もの本にアクセスしてください。 登録は無料でした。 サブスクリプションはいつでもキャンセルできます。

グリーン・エレクトロニクス No.9 2012年 08月号 [雑誌] の詳細

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タイトル

グリーン・エレクトロニクス No.9 2012年 08月号 [雑誌]

発売日

2012/7/28

カテゴリー

本

ファイル名

グリーン-エレクトロニクス-no-9-2012年-08月号-雑誌.pdf

ファイルサイズ

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グリーン・エレクトロニクス No.9 2012年 08月号 [雑誌] pdf無料ダウンロード - 内容紹介 ワイドギャップ半導体の研究現在使用されている最先端のパワー・デバイスはSi(シリコン)という半導体材料がもつ性能を、ほぼ限界まで引き出しており、Siの物性の限界から大幅な発展は困難な状況です。そんななかで、近年、大きな注目を集めているのが、ワイド・バンド・ギャップ半導体デバイス(ワイドギャップ半導体)。ワイドギャップ半導体は、Siに比べてパワー・エレクトロニクス応用の観点で素晴らしい物性を有しており、大きなポテンシャルを秘めています。ワイドギャップ半導体を使えば、Siでは到底実現不可能な、低損失、高速スイッチング、高温動作が可能になります。半導体デバイスの動作原理について説明し、なぜワイドギャップ半導体によって優れたパワー・デバイスが実現できるかを説明。なかでも研究が進んでおり、非常に有望な材料である、炭化硅素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)について、それぞれの材料の特徴、基礎研究の進展具合、具体的なデバイスの開発状況について紹介。

カテゴリー: 本

グリーン・エレクトロニクス No.9 2012年 08月号 [雑誌]を読んだ後、読者のコメントの下に見つけるでしょう。 参考までにご検討ください。

この本はSiCなどの新パワーデバイスの基礎から、最近の動向まで分かりやすく解説されています。なかなか他にこれほどまとまったものが無く、他の本は小難しかったりするので、良書だと思います。残念ながら、いくつか誤記や誤植らしき表現がありますが、内容的にはGoodでした。