MBE国際会議

フランス モンペリエで開催されたMBE国際会議にて、M2 橋本君、加藤さんが発表しました。

19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2016)

「Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(110) films by controlling defects via ion implantation」

M. Kato, T. Murakami, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K, Sawano

「Highly N-doped Ge Microdisks with Circular Bragg Gratings on Ge-on-Insulator」

H. Hashimoto, X. Xu, K. Sawano, T. Maruizumi